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解决电磁干扰一般有三种途径，一是降低干扰源的强度，二是增强被驱动的MOS管的抗干扰能力，三是阻隔干扰的通路。在本例中，干扰源就是干式变压器要传递的脉冲，这是无法降低的。给驱动加上负压，可以大大增强MOS管的抗干扰能力，这种方法为许多电源所采用。本例采用第三种方法，即在驱动干式变压器的各绕组间加绕屏蔽层，其结构共5个绕组和5个屏蔽层。

  整个干式变压器包括屏蔽层从左向右逐层绕制，N1接到控制回路的地;两个下管驱动绕组由于电位变化不大，同时与N2连接，实际上是接到了功率地;N3和N4将上管绕组NA包了起来，并与NA的异名端相接;N5将绕组ND与NA隔离。这样每个绕组都和它的屏蔽层同电位，它们之间不会有容性电流。当上管TA导通、上管绕组NA的电位跳升时，屏蔽层N3和N4的电位也要同样跳变，由于N2和N3之间的分布电容，这个跳变将在这两个屏蔽层中间产生电流，但对管子的驱动没有影响，只是会耗损一点主功率。在实际电路中采用了加电磁屏蔽的驱动干式变压器之后，问题得到了全部解决。

  对于分布电容引起的截止管误导通，可以采取设置负压驱动和屏蔽隔离两种办法来解决。给干式变压器增加屏蔽层会使驱动干式变压器的设计变得复杂，但不用对电路进行修改，仍不失为一种实用有效的方法。